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荒殿 保幸; 中島 幹雄; 佐伯 正克; 立川 圓造
J.Phys.Chem., 90(8), p.1528 - 1530, 1986/00
原子炉照射フッ化リチウム単結晶中でのOT基の形成とその分光学的な性質を検討した。照射後650Cで熱アニーリングすると3578cmと2225cmに鋭い吸収ピークが表れた。それぞれのピークの放射線(Co)分解挙動及び、熱アニーリング挙動が一致することから、OH基、OT基に帰属されるピークであることを推定するとともに、同位体シフト値が理論値と比較的良く一致することからOT基の形成を確認した。さらに実測波数から分光学的なパラメータを計算しOT基の解離エネルギーは約5eVであることを示した。